Технические детали

• Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 15A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 38W
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN3333
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26.6 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1257 pF @ 20 V