- Модель продукта G12P10TE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 65
MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Инвентаризация: 3000
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
Инвентаризация: 164
MOSFET P-CH 60V 25A TO-220
Инвентаризация: 3000
