- Модель продукта GT025N06AM
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 215W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-263
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Инвентаризация: 481
MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Инвентаризация: 8000
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Инвентаризация: 980
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
