- Модель продукта G040P04M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 222A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 1A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 312W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-263
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 206 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14983 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Инвентаризация: 9000
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Инвентаризация: 14004
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Инвентаризация: 2741
