Инвентаризация:2301

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 195A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 294W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-263
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 186 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15870 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323

Инвентаризация: 50798

MOSFET P-CH 40V 12A TO252

Инвентаризация: 339338

MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60

Инвентаризация: 3081

MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 3253

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 5000

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10089

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 65815

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 5454

Top