- Модель продукта G080N10M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 370W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-263
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13950 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Инвентаризация: 4517
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Инвентаризация: 70
MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Инвентаризация: 942
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 694
MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Инвентаризация: 800
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Инвентаризация: 3730
