- Модель продукта G04P10HE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 0
- Описание MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.2W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-223
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Инвентаризация: 28096
P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Инвентаризация: 7379
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Инвентаризация: 20000
MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Инвентаризация: 5888
MOSFET P-CH 100V 6A SOT223
Инвентаризация: 27966
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Инвентаризация: 8837
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Инвентаризация: 22796
