Инвентаризация:7388

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.78W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Инвентаризация: 1732

P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH

Инвентаризация: 7379

MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223

Инвентаризация: 20000

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Инвентаризация: 8837

Top