Инвентаризация:10337

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 210mOhm @ 2.6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1419 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3

Инвентаризация: 472003

MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V

Инвентаризация: 5888

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Инвентаризация: 8954

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 7802

MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252

Инвентаризация: 30503

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

Инвентаризация: 22796

Top