Инвентаризация:3550

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.4W (Ta), 68W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.9 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Инвентаризация: 43731

MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON

Инвентаризация: 23927

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Инвентаризация: 2497

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 4590

Top