Инвентаризация:6090

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 59W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1051 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRENCH >=100V

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1

Инвентаризация: 31979

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 29615

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 14419

P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

Инвентаризация: 1327

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top