Инвентаризация:33479

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 46A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 78W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 45µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 115676

Top