Инвентаризация:15919

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 70W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1150 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060

Инвентаризация: 4393

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 4590

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 29615

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 9989

PTNG 100V LL U8FL

Инвентаризация: 2094

TRANS PNP 60V 4.5A SOT89-3

Инвентаризация: 24136

Top