Инвентаризация:3594

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.4A (Ta), 28A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 46W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 38µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 800 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


BRIDGE RECT 1P 100V 2A 4LPDIP

Инвентаризация: 2360

MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK

Инвентаризация: 904

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 14419

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

Инвентаризация: 1480

MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN

Инвентаризация: 0

Top