Инвентаризация:5789

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.7A (Ta), 20A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 62mOhm @ 4.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8 (Type UX)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 228 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 1070

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

Инвентаризация: 33406

Top