Инвентаризация:3997

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.4W (Ta), 68W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.9 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683 pF @ 50 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN

Инвентаризация: 6960

MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN

Инвентаризация: 113269

MOSFET N-CH 100V 15A/47A 8DFN

Инвентаризация: 16449

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Инвентаризация: 2016

Top