- Модель продукта IMT65R022M1HXUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Сопутствующие товары
SIC_DISCRETE
Инвентаризация: 1147
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 925
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1934
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Инвентаризация: 120
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 47
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 147
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Инвентаризация: 1218
