Инвентаризация:1647

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 273W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.2V @ 11mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-U02
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +20V, -7V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2160 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 180

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 28

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top