Инвентаризация:2425

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 29.5A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 234W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 8.8mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1643 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 928

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1998

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 2000

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 102

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE

Инвентаризация: 2994

Top