Инвентаризация:2428

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 217mOhm @ 5.7A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 85W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 1.7mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 320 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 925

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 2000

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 268

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

Top