- Модель продукта IMT65R260M1HXUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Инвентаризация: 521
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 925
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 825
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 978
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1931
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1934
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1965
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1804
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Инвентаризация: 190
