Инвентаризация:4187

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Ta), 183A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A,10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.9W (Ta), 171W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 2mA
  • Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 124 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5827 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON

Инвентаризация: 7377

MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Инвентаризация: 661

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 0

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 1483

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP

Инвентаризация: 7190

DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

Инвентаризация: 5446

Top