Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Ta), 222A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 205W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 2.7mA
  • Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 157 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5985 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

Инвентаризация: 9313

MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN

Инвентаризация: 0

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 2687

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 3970

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top