Инвентаризация:8877

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 214W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 146µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSON-8-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8200 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 16839

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

Инвентаризация: 5529

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Инвентаризация: 8402

MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3

Инвентаризация: 3604

TRENCH >=100V PG-TSON-8

Инвентаризация: 3353

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10022

MV8 P INITIAL PROGRAM

Инвентаризация: 2687

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

Top