Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 78A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 40W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-HSOP
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6890 pF @ 20 V