Инвентаризация:1940

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 585mOhm @ 3A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 85W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 900µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -6V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 463 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 450

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 130

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 0

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 480

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4936

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 660

Top