Инвентаризация:1950

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 108W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1.4mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -6V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 nC @ 400 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 667 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 992

1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 374

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 2220

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 151

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 0

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 660

Top