- Модель продукта SCTWA90N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1508
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 119A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 565W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247 Long Leads
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 157 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3380 pF @ 400 V