Инвентаризация:1508

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 119A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 565W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247 Long Leads
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 157 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3380 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 650V 100A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Инвентаризация: 2

TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top