- Модель продукта SCTWA35N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 20A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247 Long Leads
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
- ВГС (Макс) +20V, -5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 73000 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Инвентаризация: 743
SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Инвентаризация: 11
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Инвентаризация: 66
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Инвентаризация: 2
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Инвентаризация: 600
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Инвентаризация: 8
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Инвентаризация: 0
