Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика HiP247™
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Инвентаризация: 2

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 8

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

Инвентаризация: 0

Top