Инвентаризация:2399

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 84mOhm @ 20A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 221W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 87 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1770 pF @ 450 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

Инвентаризация: 450

MOSFET N-CH 40V 8PQFN

Инвентаризация: 5525

MOSFET N-CH 650V 40A TO220F

Инвентаризация: 646

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

Инвентаризация: 448

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

Инвентаризация: 436

SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

Инвентаризация: 404

Top