Инвентаризация:1948

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 446W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 2.1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5665 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

Инвентаризация: 0

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

Инвентаризация: 3765

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

Инвентаризация: 792

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Инвентаризация: 0

-

Инвентаризация: 899

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

Инвентаризация: 250

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

Инвентаризация: 436

Top