Инвентаризация:1904

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 84mOhm @ 20A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 221W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 87 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1770 pF @ 450 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 36A TO247-3

Инвентаризация: 2044

MOSFET N-CH 40V 50A/300A 8HPSOF

Инвентаризация: 338

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN

Инвентаризация: 1595

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

Инвентаризация: 157

-

Инвентаризация: 899

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN

Инвентаризация: 0

Top