Инвентаризация:5835

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 167W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 90µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-34
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5200 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


N

Инвентаризация: 2204

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7

Инвентаризация: 8831

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34

Инвентаризация: 12301

MOSFET_(20V 40V)

Инвентаризация: 4457

MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN

Инвентаризация: 1812

Top