Инвентаризация:10331

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 156W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 120µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-17
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL

Инвентаризация: 9505

Top