- Модель продукта BSC014N06NSATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10331
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Ta), 100A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 156W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 120µA
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-17
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 89 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 30 V