Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 261A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 120µA
  • Пакет устройств поставщика PG-WSON-8-2
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 104 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8125 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


N

Инвентаризация: 2864

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7

Инвентаризация: 8831

TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3

Инвентаризация: 1509

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 8967

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK

Инвентаризация: 8970

Top