Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Ta), 306A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 147µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSON-8-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 143 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11000 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7

Инвентаризация: 8831

OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU

Инвентаризация: 3575

Top