Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 79.8A (Ta), 558A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.45mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 5W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFNW (8.3x8.4)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 251 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16500 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3

Инвентаризация: 3189

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

Инвентаризация: 1400

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

Инвентаризация: 90

MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW

Инвентаризация: 2165

Top