Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Рабочая Температура 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 204A (Tc)
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1360W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 35.2mA
• Пакет устройств поставщика Module
• ВГС (Макс) +22V, -6V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 20000 pF @ 10 V