Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 180A (Tc)
• Рассеиваемая мощность (макс.) 880W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 50mA
• Пакет устройств поставщика Module
• ВГС (Макс) +22V, -4V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9000 pF @ 10 V