Инвентаризация:22015

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8SCD Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 69.4W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8SCD Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 17A 8DFN

Инвентаризация: 44966

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP

Инвентаризация: 14717

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 8169

MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK

Инвентаризация: 24

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 5991

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

Top