Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.8A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3640 pF @ 16 V