Инвентаризация:37305

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta), 8A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta), 15W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 724 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN

Инвентаризация: 7468

MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN

Инвентаризация: 110508

MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 34356

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

Инвентаризация: 578033

Top