Инвентаризация:112008

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta), 11A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 15W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 435 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

Инвентаризация: 105460

MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN

Инвентаризация: 35805

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Инвентаризация: 1168

Top