Инвентаризация:2668

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Ta), 50A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta), 107W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3369 pF @ 75 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN

Инвентаризация: 110508

MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5934

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Инвентаризация: 1773

MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

Инвентаризация: 5121

SOT-23, MOSFET

Инвентаризация: 14586

Top