Инвентаризация:3273

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.4A (Ta), 58A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3369 pF @ 75 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 26A DPAK

Инвентаризация: 530

MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33

Инвентаризация: 14860

MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8

Инвентаризация: 349

MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top