Инвентаризация:35856

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 305 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN

Инвентаризация: 35805

MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 4818

MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6

Инвентаризация: 7052

MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB

Инвентаризация: 38228

DIODE ZENER 16V 500MW SOD123

Инвентаризация: 4170

Top