Инвентаризация:28737

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 900mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 600mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1212-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 52 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN

Инвентаризация: 20687

Top