Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
• Частота – переход 300MHz
• Пакет устройств поставщика X2-DFN0806-3
• Оценка Automotive
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 435 mW
• Квалификация AEC-Q101