- Модель продукта IPA60R170CFD7XKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 26W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 300µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO220-FP
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1199 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Инвентаризация: 11611
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Инвентаризация: 7513
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Инвентаризация: 982
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Инвентаризация: 35667
MOSFET HIGH POWER_NEW
Инвентаризация: 5100
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Инвентаризация: 928
